Для корректного отображения портала МЭИ, включите Java Script

Вход
Идет
11
учебная неделя семестра
AdaptMenu

Нанотехнология в электронике

11.03.04 Электроника и наноэлектроника

Описание

Цель программы – подготовка квалифицированных специалистов для электронной и смежных отраслей промышленности путем развития у студентов личностных качеств, а также формирование общекультурных и профессиональных компетенций в соответствии с требованиями ФГОС ВО.
Особенностью данной образовательной программы является ее направленность на подготовку выпускников для электронной и смежных отраслей промышленности, в которых реализуются новые наукоемкие технологии, в том числе наноэлектронику, являющиеся в настоящее время основой технического прогресса и характеризуется высокой степенью востребованности на рынке труда.

Сведения об образовательной программе

Документы программы\профиля

Общая информация для поступающих

Кафедра

ФТЭМК

Институт

Уровень

Бакалавриат

Форма обучения

Очная

Платные места
в конкурсной группе в 2019 году

7

Бюджетные места
в конкурсной группе в 2019 году

25

Стоимость обучения

Доп. экзамен

Минимальные баллы

Математика - 40, Физика - 40, Русский язык - 40

Будущая профессиональная деятельность

Профильные дисциплины


Введение в специальность
Твердотельная электроника
Материалы электронной техники
Схемотехника
Основы технологии электронной компонентной базы
Наноэлектроника
Физические основы полупроводниковых наноматериалов
Физика полупроводников
Надежность элементов полупроводниковой электроники
Основы технологии материалов электронной техники
Физика диэлектриков
Методы исследования поверхности полупроводников
Технология и физико-химические свойства наноматериалов
Физика и технология неупорядоченных полупроводников
Физическая химия материалов и процессов электронной техники
Физика полупроводниковых приборов и интегральных схем
Основы проектирования электронной компонентной базы
Магнитные материалы
Физика композиционных материалов

Возможные места и позиции трудоустройства


ИНМЭ – институт нанотехнологии микроэлектроники РАН: расчет и проектирование современных полупроводниковых приборов и устройств наноэлектроники
Холдинг «Швабе», НПО "ОРИОН", АО "Московский завод Сапфир", НТЦ «Модуль»: разработка фотоприемных устройств, включая блоки предварительной обработки, фильтрации, накопления сигналов
ООО "НПП "Цифровые решения" - разработка интегральных микросхем
ПАО НПП «Сапфир» - разработка цифровых (КМОП КНС БИС) и аналоговых микросхем, полупроводниковых приборов, в том числе светодиодов и светодиодных модулей
АО «НИИМА «ПРОГРЕСС»: проектирование СБИС для таких мировых лидеров, как Motorola, VLSI Technology, Nortel, ST Microelectronics, Gold Star, SGS Tompson и др.
АО "Оптрон": разработка и изготовление диодов, стабилитронов, оптопар, а также светодиодных светильников различного назначения
АО "ГЗ "Пульсар": разработка и изготовление транзисторов ВЧ и СВЧ диапазона и изделий на их основе, интегральных микросхем различного назначения
АО "НПП "Пульсар": разработка и изготовление изделий СВЧ твердотельной электроники, интергральные микросхемы, фотоэлектроника
ИОФ - институт общей физики РАН: создание методов исследования спектрально-флюоресцентных свойств биологических тканей человека, Разработка и изготовление аппаратуры для флюоресцентной диагностики и фотодинамической терапии с применением лазерных, волоконно-оптических и спектрально-флюоресцентных технологий

Работодатели


Практики и стажировки