Для корректного отображения портала МЭИ, включите Java Script

Вход
Идет
12
учебная неделя семестра
AdaptMenu

Полупроводниковые материалы и структуры

11.04.04 Электроника и наноэлектроника

Описание

Цель программы – Подготовка квалифицированных специалистов для электронной и смежных отраслей промышленности путем развития у студентов личностных качеств, а также формирование общекультурных, общепрофессиональных и профессиональных компетенций в соответствии с требованиями ФГОС ВО по данному направлению подготовки. Выпускники должны быть способны интегрироваться в современное промышленно-экономическое пространство и быть готовыми выполнять работу в областях своей профессиональной деятельности. Квалификация «магистр по направлению подготовки 11.04.04» предполагает профессиональную реализацию в научных и научно-производственных секторах (отделах) предприятий электронного приборостроения, производства материалов и компонентов электронной техники и различных производств, использующих нано- и микроэлектронную технологию в технологических циклах изготовления изделий.

Сведения об образовательной программе

Общая информация для поступающих

Кафедра

ФТЭМК

Институт

Институт электротехники и электрификации (ИЭТЭ, ранее ИЭТ)

Уровень

Магистратура

Форма обучения

Очная

Платные места
в конкурсной группе в 2021 году

Бюджетные места
в конкурсной группе в 2021 году

Стоимость обучения

Доп. экзамен

Вступительные испытания

Базовая часть

Специальная часть

Будущая профессиональная деятельность

Профильные дисциплины


История и методология науки и техники в области электроники
Компьютерные технологии в научных исследованиях
Проектирование и технология электронной компонентной базы
Оксидные радиоэлектронные материалы
Тепловые расчеты полупроводниковых компонентов
Микроэлектроника
Надежность полупроводниковых и диэлектрических изделий
Методы исследования материалов и структур электроники
Моделирование технологических процессов и компонентов электронной техники
Технология полупроводниковых приборов и интегральных схем
Методы математического моделирования
Физика и технология тонких пленок
Активные диэлектрики

Возможные места и позиции трудоустройства


ИНМЭ – институт нанотехнологии микроэлектроники РАН: расчет и проектирование современных полупроводниковых приборов и устройств наноэлектроники
Холдинг «Швабе», НПО "ОРИОН", АО "Московский завод Сапфир", НТЦ «Модуль»: разработка фотоприемных устройств, включая блоки предварительной обработки, фильтрации, накопления сигналов
ООО "НПП "Цифровые решения" - разработка интегральных микросхем
ПАО НПП «Сапфир» - разработка цифровых (КМОП КНС БИС) и аналоговых микросхем, полупроводниковых приборов, в том числе светодиодов и светодиодных модулей
АО "Оптрон": разработка и изготовление диодов, стабилитронов, оптопар, а также светодиодных светильников различного назначения
АО "ГЗ "Пульсар": разработка и изготовление транзисторов ВЧ и СВЧ диапазона и изделий на их основе, интегральных микросхем различного назначения
АО "НПП "Пульсар": разработка и изготовление изделий СВЧ твердотельной электроники, интергральные микросхемы, фотоэлектроника

Работодатели


Практики и стажировки