16 марта 2026 г. кафедра микроэлектроники отмечает
юбилей профессора кафедры Полупроводниковые приборы (Полупроводниковая
электроника, Электроника и наноэлектроника, в настоящее время -
Микроэлектроника)
МОРОЗОВОЙ
Наталии Константиновны
Наталия Константиновна является ведущим специалистом в области
оптики, физики и технологии полупроводников (природа краевого свечения, стабилизация собственно-дефектных и
примесных центров в соединениях AIIBVI).
Ее юность прошла во Владикавказе, где она с золотой
медалью окончила среднюю школу.
Обучалась в Северо-Кавказском Горно-Металлургическом институте. После
окончания института с отличием в 1958 г. продолжала работу исследователем на кафедре "Общей
металлургии" СКГМИ; в1958-1960 гг. занималась исследованием
газовых равновесий в системах: GeS2, PbZnS, методиками анализа особо чистых веществ.
Это легло в основу ее дальнейших исследований.
В 1960 г поступила в аспирантуру на кафедре Полупроводниковые приборы
МЭИ под руководством проф. Шалимовой К.В.
В МЭИ ее работа была направлена на изучение особенностей получения и
оптических свойств соединении А2В6 и роли кислорода в
этих процессах. Морозова Н.К. защитила
диссертацию кандидата физико-математических наук в МГУ им.
М.В. Ломоносова, 1964 г.
С 1960 по 1965 гг.
работала по тематике “Оптические свойства полупроводников” по постановлениям
правительства.
В 1983 г. защитила докторскую диссертацию на
степень доктор физмат наук (защита проходила в МИСиС).
Результаты исследований
до 1990 г опубликованы в двух монографиях (1987 и 1992 гг., изд. Наука),
практикуме по полупроводникам и полупроводниковым приборам.
В 1994-2001 гг.
занималась исследованием материалов инфракрасной техники по программе
“Университеты России. Фундаментальные исследования”; в 1970-2010 гг. определяла
развитие приоритетного направления по оптике соединений А2В6 с изоэлектронными
центрами.
С 1988 г. по 2019 была
профессором кафедры “Полупроводниковые приборы” МЭИ, где ею для студентов были
написаны учебник по курсу лекций, учебные пособия и учебно-методические
пособия.
Она
награждена медалями "Ветеран труда","850 лет Москвы",
знаком Почетный "Ветеран труда МЭИ".
С участием студентов и
аспирантов МЭИ вела исследовательскую работу. Научная группа кафедры под
руководством Морозовой Н.К. помнит всех подвижников: Королева О.И., Каретникова
И.А., Никитенко В.А., Веселкову М.М., Ботнева А.Ф., Черного В.Д., Малова М.М.,
Блинова В.В., Назарову Л.Д., Данилевич Н.Д., Мидероса Д.А. Канахина А.А.,
Федорченко О.В., Ханина В.А., Голубь К.В.
Сотрудничество с рядом
ведущих предприятий и научных групп расширяло круг проблем и помогало получать
новые результаты. Это ИКАН (Москва), ИПАН (Киев), институт Монокристаллов
(Харьков), Ленинградский ГУ, заводы Кинескоп (Львов), Люминофор (Ставрополь),
Томский ГУ, Уральский политехническй институт, институт Физики Аахен и Минска,
ВНИХТ, институт Радиационной техники, Высокочистых веществ (Н.Новгород), ИОФАН,
НИИ Материаловедения (Зеленоград) и др.
Наталия Константиновна Морозова в разное время была членом Нью-Йоркской Академии
наук, членом-корреспондентом Международной Академии информатизации, несколько
раз носила звание Человек достижений Биографического центра Кембриджа, была членом Американской Ассоциации науки и
Технологии, Человеком года (2009) России, зарегистрирована в карте Российской науки.
Морозовой Н.К. (с
сотрудниками) опубликовано более 300 научных печатных работ, полностью
подготовлено 12 законченных кандидатских диссертаций. Новый подход к
интерпретации оптических свойств соединений А2В6 отражают работы последних
лет: более 20 работ в центральной печати и международных конференциях. Она
стала ведущим специалистом в новом направлении работ - теории антипересекающихся зон (band anticrossing theory–ВАС), позволяющей учесть присутствие кислорода, получить
объяснения само-активированного свечения ряда кристаллов А2В6 и
внести поправки в зонную модель CdS∙О, ZnS∙О, CdSe∙О. В ходе этих работ
ею были:
1)
Доказана
правомочность теории антипересекающихся зон (ВАС) для нестехиометрических
кристаллов А2В6 совпадением ее расчётных данных с
экспериментом, который охватывает: равновесие в газовой фазе, расчёт состава
кристаллов как равновесие собственных дефектов в твердой фазе, определение
содержания кислорода и оптические измерения на одних и тех же кристаллах с
известными условиями роста.
2)
Основной
центр люминесценции нестехиометрических кристаллов SA описан согласно теории ВАC на основании расчёта собственных
дефектов и эксперимента как стабилизированная кислородом донорно- акцепторная
пара для CdS,
например, Cdi
- V Cd,
где донором является межузельный кадмий, а акцептором вакансия кадмия. В
отличии от BAC,
теория ловушек не может объяснить возникновение SA центра и изменение структуры
этого свечения симбатно изменению ширины запрещенной зоны.
3)
Уточнена природа кислородных центров
люминесценции при отсутствии Cdi
в области стехиометрии. Как изоэлектронная ловушка возбуждений кислород описан
Os и Os-Os состояниями. Данные, полученные
согласно теории ловушек и ВАС совпадают для средних концентраций кислорода, а
для случая предельно малых концентраций расчетные данные теории ловушек лучше
идентифицируют полосы спектра.
4)
Выявлены комплексы дефектов с
детерминированным излучением и условия их создания.
Коллектив кафедры
микроэлектроники желает Наталии Константиновне Морозовой долгой плодотворной
жизни и продолжения научной активности!