Международный научно-технический семинар «Применение силовых модулей на основе карбида кремния в электроприводе»

Уважаемые Коллеги!

26 июня 2025 года в 14:00 в НИУ «МЭИ» в аудитории НТБ-300 кафедра Автоматизированного электропривода организует международный научно-технический семинар «Применение силовых модулей на основе карбида кремния в электроприводе».

В рамках семинара состоится лекция профессора Сибо Юаня (Xibo Yuan) из Китайского Горного Университета (China University of Mining and Technology) на тему «Новые возможности, проблемы надёжности и решения в области электропривода на базе транзисторов с широкой запрещённой зоной (SiC)» (Opportunities, Reliability Challenges and Solutions in Wide-bandgap Device based Motor Drives).

Также данная лекция пройдет 30 июня 2025 года в 13:00 в Университете ИТМО (Санкт-Петербург).

Лекции будут переводиться на русский язык.

Аннотация

Высокая скорость переключения и повышенные рабочие температуры силовых полупроводников с широкой запрещённой зоной, таких как транзисторы на базе SiC и GaN, открывают возможности для повышения удельной мощности, КПД, частоты вращения электрических машин и создания приводов с высокой степенью интеграции силового преобразователя и электродвигателя. Однако такие характеристики, как высокая скорость переключения и высокая производная напряжения во времени — du/dt, а также высокая частота переключений, могут вызвать перенапряжения на двигателе, ускоренную деградацию изоляции двигателя и подшипников, а также усиливать электромагнитные помехи.

При высокой производной напряжения на клеммах двигателя и нейтрали статора будет возникать перенапряжение при гораздо более коротких кабелях, чем в электроприводах на базе стандартных кремниевых IGBT, а перенапряжение в основном будет распределено на первых нескольких витках обмоток двигателя. В докладе будет объяснено, как скорость переключения и частота переключения повлияют на изоляцию обмотки (например, через частичный разряд) и подшипник двигателя. Будут приведены результаты экспериментальных исследований электроприводов на базе SiC MOSFET, а также будет предоставлена ​​теория, лежащая в основе экспериментальных исследований, с анализом как во временной, так и в частотной области. Будет представлено несколько потенциальных решений по устранению вышеуказанных негативных побочных эффектов в электроприводах на базе транзисторов с широкой запрещённой зоной, включая пассивные и активные фильтры, формирование коммутируемого напряжения посредством мягкого переключения и управления затвором, альтернативные топологии преобразователей, квазимногоуровневая модуляция и т. д. Будут представлены примеры электроприводов на базе SiC для дальнейшей демонстрации возможностей, проблем и потенциальных решений, упомянутых выше.

Сибо Юань получил степень доктора в Университете Цинхуа и является профессором Китайского Горного Университета. 10 лет работал профессором Университета Бристоля, Великобритания. Его исследовательские интересы включают силовую электронику и приводы двигателей, ветроэнергетику, многоуровневые преобразователи, применение силовых полупроводников с широкой запрещённой зоной и технологии более электрических самолетов. Является членом IET и получил премию Isao Takahashi Power Electronics Award за выдающиеся достижения в области силовой электроники. Профессор Сибо Юань является почетным лектором Общества силовой электроники IEEE и получил несколько наград за статьи от журналов и конференций IEEE.

Лекция пройдёт в Национальном исследовательском университете «МЭИ» 26 июня 2025 года в 14:00 по адресу Москва, ул. Красноказарменная, д.13с3, библиотечный корпус МЭИ, аудитория НТБ-300.

Участие в лекциях бесплатное. Для участия необходимо зарегистрироваться, заполнив Яндекс-форму не позднее 23 июня 2025 года: https://forms.yandex.ru/u/6849345ad0468839d2064e4d/