Мирошников Борис Николаевич

Место для личной фотографии

Контакты
Телефон
Рабочий адресг. Москва, ул. Красноказарменная, д. 14
Email
Стаж
Начало работы в МЭИ, год2011
Научно-педагогический стаж, лет9
Общий стаж работы, лет9

Образование
Уровень образованияОбразовательное учреждениеНаправление подготовки
МагистрФедеральное Государственное Бюджетное Образовательное Учреждение Высшего Образования "Национальный Исследовательский Университет "МЭИ"210100 Электроника и наноэлектроника
Кандидат технических наукФедеральное Государственное Бюджетное Образовательное Учреждение Высшего Образования "Национальный Исследовательский Университет "МЭИ"01.04.10 Физика полупроводников
проф. переподготовкаИДДО ФГБОУ ВО "НИУ "МЭИ""Менеджмент
Достижения и поощрения
ГодОписаниеПриложения
Нет данных
Публикации и исследования
ГодОписаниеСоавторыПриложения
2016Кандидатская диссертация "Методы управления фотоэлектрическими параметрами фоторезисторов на основе PbS для импульсных оптикоэлектронных систем" специальность 01.04.10 Физика полупроводников 1
Преподаваемые дисциплины
Преподаваемые дисциплины
Оптоэлектроника ч. 1 и ч.2
Твердотельная электроника (лабораторные и практические занятия)
Многоэлементные приемники излучения
Схемотехника (лаб.)
Импульсная техника (лаб.)
Проектирование и технология электронной компонентной базы
Светотехнические установки (практические занятия)
Краткая информация о служебной/научной карьере
Краткая информация о служебной/научной карьере
С апреля 2011 года инженер каф. ППЭ НИУ МЭИ;
С сентября 2011 года - ассистент (по совместительству)
2012-2017 года - ассистент / старший преподаватель;
06.10.2016 - защита кандидатской диссертации по специальности 01.04.10 Физика полупроводников;
С мая 2017 года - доцент каф. ЭиН НИУ МЭИ;
2018 год - получено дополнительное образование. Проф. переподготовка по программе «Организация и управление образовательной и научной деятельностью в ВУЗе» по направлению «Менеджмент»;
С октября 2018 года - доцент каф. Светотехника (по совместительству).
Сфера интересов
Сфера интересов
Фотоприемники на основе халькогенидов свинца, СПМШ, обнаружительная способность, чувствительность, морфология поверхности, технология получения фотоприемников, время жизни, время релаксации.
​​
31.05.2023 15:32