Оснащенность кафедры

Аналитический комплекс на базе сканирующего (растрового) электронного микроскопа с системой рентгеновского энергодисперсионного анализа

VEGA II SBU, INCA Energy 250 ADD TESCAN, Чехия, Oxford Instruments Великобритания, 2011 г.

Комплекс позволяет проводить:

• ​​электронно-микроскопические исследования в растровом режиме в нанометровом диапазоне в условиях высокого и низкого вакуума и определение элементного состава материала в диапазоне от бериллия до плутония.

Система определения элементного состава на основе полупроводникового энергодисперсионного детектора c энергетическим разрешением на линии Mn Kα не более 135 эВ, и диапазоном детектируемых элементов не хуже чем от Be(4) до Pu(94).

Высокоточный комплекс для исследования короткоканальных транзисторов

Agilent, США, 2011 г.

Измерения индуктивности, ёмкости и сопротивления: ±1*10-18 до 999,9999*1018 (Гн, Ф, Ом, соответственно) на частотах от 20 Гц до 2 МГц.

Точность по току (1 год) 23°C ±5°C ±(% от шкалы + смещение): 0,4% + 400 фА

Автоматическая система электрофизических измерений

ASEC-03, Специальное конструкторское бюро ИРЭ РАН (фрязинский филиал) Россия, 2013 

Комплекс позволяет проводить комплексные научные исследования электрических и фотоэлектрических параметров и характеристик полупроводниковых и диэлектрических материалов и структур:

• Q-DLTS – зарядовая релаксационная изотермическая спектроскопия глубоких уровней с электрическим и оптическим возбуждением;
• I-V динамические и квазистатические характеристик в диапазоне температур 80-530 К;
• C-V характеристики с линейным и импульсным сканированием;
• Vph(t), Iph(t) – кинетика фотонапряжения и фототока при различной интенсивности импульсного освещения.

ASEC-03E применяется для научных исследований и контроля электрофизических параметров электронных материалов в промышленности. Базовым методом для таких исследований является реализованный в ASEC-03E  Q-DLTS метод, а также методы для измерения I-V и С-V характеристик.

ASEC-03E позволяет определять:

• плотность глубоких уровней и профиль их распределения;
• энергию активации и сечение захвата объемных и поверхностных ловушек;
• спектр поверхностных состояний;
• емкость, проводимость, диэлектрическую проницаемость;
• ток насыщения и утечки, фактор идеальности;
• концентрацию и профиль легирования мелкими примесями;
• фотонапряжение и фототок.

Прецизионный спектроэллипсометр ЭЛЬФ

Концерн "Наноиндустрия", Россия, 2011 г.

 

Основные характеристики спектроэллипсометра

• Диапазон длин волн: 380 ÷ 1050 нм;
• Спектральное разрешение: 2,5 ÷ 4 нм;
• Воспроизводимость и стабильность при измерении эллипсометрических параметров Ψ и Δ без микроприставки в диапазоне длин волн 400-1000 нм: не хуже 0.010;
• Точность: по толщине – не хуже 0.1 нм *;
  по показателю преломления - 0.001*;
• Угол падения светового луча: 450 ÷ 900 с интервалом 2,50;
• Диапазон толщин: 0.1 нм – 5 мкм*
• Диаметр светового луча: 3 мм 
• Время измерения на одной длине волны: 0,3 ÷ 2 сек
• Дискретность измерения спектра: 400 Точекк

Возможности

• измерение толщин пленок и толщин слоев в тонкопленочных структурах (металлы, полупроводники и диэлектрики; твердые и жидкие пленки)
• измерение спектров оптических постоянных и диэлектрических свойств материалов в оптическом диапазоне (металлы, полупроводники и диэлектрики; твердые и жидкие среды)
• исследование структуры материалов: процентное соотношение компонентов (фаз) в негомогенной системе, пористость, пространственная неоднородность, наличие дефектов и т.д.
• анализ состояния поверхности и структуры тонких поверхностных слоев​

Лабораторный нанотехнологический комплекс на базе сканирующего туннельного микроскопа "УМКА"

Концерн "Наноиндустрия", Россия, 2011 г.

 

Основные параметры

• Разрешение атомарное, молекулярное
• Размер образца (мм) 8х 8х (0,5…4,0)*
• Поле сканирования (мкм) 5х 5 ± 3
• Шаг сканирования в плоскости образца в полном поле/ в режиме 1:10, (нм) 0,08/0,008
• Диапазон высот (мкм) 1± 0,2
• Шаг измерения по вертикали (нм), не хуже <0,02

Устанавливаемые параметры:

• напряжение на туннельном зазоре (В) 0 ± 2,3
• туннельный ток (пА) 1…1500; 60 … 5000*

Режимы работы:

• режим сканирования по постоянному току;
• режим сканирования с постоянной высотой;
• режим измерения вольт-амперной характеристики поверхности.​

Возможности

Позволяет исследовать рельеф проводящих и слабопроводящих поверхностей с высоким пространственным разрешением, с помощью методов туннельной микроскопии, кроме того может использоваться для:

• определения топологии поверхности образцов с атомарным разрешением;
• определения работы выхода и импеданса;
• определения примесей в исследуемом материале;
• определения вольт-амперных, вольт-высотных и дифференциальных характеристик материала;
• определения типа проводимости материала, анализ структур проводящих и магнитных образцов на атомно-молекулярном уровне;
• измерения параметров профиля (шероховатость, размер включений и наночастиц);
• фильтрации отсканированных изображений, получение топологии поверхности образцов в виде чётких изображений;
• оценки длительного внешнего воздействия на образцы в режиме реального времени (in siti) ( определение коррозионной устойчивости, радиационного воздействия и т.д.).

Учебно-научный комплекс по нанотехнологии

ЗАО НТ-МДТ, Россия, 2011 г.

 

Возможности:

ИНТЕГРА Прима позволяет проводить изучение рельефа и физических свойств поверхности с использованием практически любых применяемых сегодня методов зондовой микроскопии, достигая при этом атомно-молекулярного разрешения.

Комплекс позволяет проводить измерения:

На воздухе: СТМ/ Туннельная Спектроскопия/Контактная АСМ/МЛС/Резонансная АСМ (полуконтактная + безконтактная)/Метод отображения Фазы/Метод модуляции силы/Изображение Силы Адгезии/Отображение сопротивления растекания /СЕМ /МЗК /МСМ /ЭСМ/ АСМ (Силовая + Токовая), СТМ и RM литографии

В жидкости: Контактная АСМ / Микроскопия Боковых Сил/ Метод Модуляции силы/Изображение Силы Адгезииполуконтактная (scanner-driven) АСМ/ АСМ (Силовая) Литография.​​​​​