Кафедра электроники и наноэлектроники (ЭиН) сформирована из кафедр электронных приборов и кафедры полупроводниковой электроники в 2015 г.
Кафедра электронных приборов. Кафедра была создана в 1933 г. Первым ее руководителем был профессор Иванов А.П. В различные периоды кафедра носила названия: ”Электронная техника и приборы”, "Техническая электроника и ионика", "Радиотехническая электроника", в 1954 году кафедра получила название "Электронные приборы”.
Особенно бурное развитие кафедры происходило в послевоенные годы, когда были созданы новые лаборатории, оснащенные современным оборудованием, поставлены новые учебные курсы, развернуты обширные научные исследования. Длительное время (1952 – 1977) заведующим кафедрой был Герой Социалистического труда, Заслуженный деятель науки техники профессор Нилендер Р.А., внесший неоценимый и решающий вклад в ее становление и развитие. На кафедре работали многие талантливые ученые и педагоги. В их числе Академик АН СССР, Герой Социалистического труда, Лауреат Ленинской премии, профессор Девятков Н.Д., Заслуженный деятель науки и техники РФ, Лауреат Государственной премии профессор Лебедев И.В., профессора Тягунов Г.А, Каганов И.Л., Царев Б.М., Тимофеев П.В. и др.
На основе научных работ, ведущихся на кафедре, были подготовлены циклы лекций по дисциплинам специализации, в том числе "Методы и устройства тепловидения", "Шумы в электронных приборах и устройствах"; "Методы и устройства неразрушающего контроля", "Конструирование электронных устройств”, "Квантовые электронные приборы для медицины", “Многолучевые мощные СВЧ приборы”.
Одним из главных направлений подготовки студентов и проведения научных исследований, связанных с приборами и устройствами микроволновой электроники, руководил Заслуженный деятель науки и техники РФ, Лауреат Государственной премии, автор широко известного двухтомного учебника "Техника и приборы СВЧ" профессор Лебедев И.В., всю жизнь проработавший на кафедре..
Под руководством профессора Качанова В.К. успешно развивается направление ультразвуковой дефектоскопии. Методы анализа и устройства, разработанные в лаборатории кафедры, обеспечивают рекордно высокую чувствительность и помехоустойчивость контроля. Примером применения разработок является успешно проведенный ультразвуковой контроль уникальных колоколов Колокольни Ивана Великого и Собора Христа Спасителя в Москве.
Более 30 лет ведутся работы по изучению флуктуационных явлений в электронных приборах, направленные на создание новых методов диагностики изделий электронной техники и прогнозирования их надежности. На кафедре под руководством профессора Воробьева М.Д. создан универсальный измерительный комплекс с компьютерным управлением, обладающий уникальными диагностическими возможностями.
Научная группа под руководством профессора Бодрова В.Н., успешно решает проблемы создания тепловизионных устройств на базе неохлаждаемых приемников изображений и разрабатывает устройства нового поколения для быстрого, точного дистанционного определения температуры. В круг интересов этой научной группы входят также вопросы разработки спектрозональных оптико-электронных систем на базе сверхчувствительных многоэлементных фотоприемников, а также создание видеопроцессоров реального времени.
Воспитанниками кафедры являются Герой Социалистического труда, лауреат Ленинской и Государственной премий СССР, Заслуженный деятель науки РФ, доктор технических наук, профессор, Генеральный конструктор СВЧ электроники Ребров С.И., Лауреат Государственной премии РФ. в области науки и техники, академик РАЕН, доктор физико-математических наук, профессор Бецкий О.В. может быть, про генерала не надо?Генерал армии Матюхин В.Ф.
Среди выпускников известные зарубежные ученые: ректор Университета электронных наук и технологий КНР, академик, профессор Лю Шенган; профессор Ханойского университета Чан Дык Хан (Вьетнам). И. Тауфер (Чехия) почетный профессор МЭИ.
Кафедра полупроводниковой электроники берет свое начало значительно позднее: в 1954 году в Московском инженерно-физическом институте была создана кафедра, которая первоначально называлась "Полупроводники". Заведующей кафедрой стала ректор МИФИ профессор К.В. Шалимова. Кафедра должна была готовить инженеров по новой специальности "Диэлектрики и полупроводники", на которую приглашались студенты старших курсов с других специальностей.
В 1956 году кафедра вместе с заведующей кафедрой, преподавателями и студентами была переведена в Московский энергетический институт и стала называться "Полупроводниковые приборы".
В достаточно короткие сроки были созданы учебные практикумы и написан ряд учебных пособий, среди которых учебник "Физика полупроводников" К.В. Шалимовой несколько раз переиздавался и был переведен на ряд иностранных языков, учебное пособие "Методы определения параметров полупроводниковых материалов" Л.П. Павлова.
Преподавателями кафедры были известные ученые из академических институтов ФИАНа им. Лебедева, Института металлургии им. Байкова, таких отраслевых институтов, как нынешние "Пульсар", "Сапфир", в которых студенты выполняли на старших курсах учебно-исследовательскую работу. Технологическая практика студентов проводилась на полупроводниковых заводах Москвы, Ленинграда, Воронежа, Риги, Таллина, Новосибирска, Великого Новгорода.
Все это определяло высокий уровень подготовки, который позволял выпускникам эффективно расти в самых различных направлениях трудовой деятельности. Среди них многие стали главными инженерами крупных предприятий, заведующими кафедрами других ВУЗов, технологами-разработчиками, чьи успехи были отмечены Государственными премиями, известными физиками-теоретиками и исследователями. Среди них академик РАН Ю.В. Копаев, летчик-космонавт Н. В. Рукавишников.
В шестидесятые годы кафедру заканчивало три группы студентов дневного обучения и две группы вечернего.
Учебная работа на кафедре тесно переплеталась с научной. Основными направлениями научных исследований были оптические и электрофизических свойств полупроводников, а также разработка технологии получения и исследование тонких полупроводниковых пленок и приборов на их основе. Уже в начале шестидесятых годов были защищены кандидатские диссертации по указанным направлениям. Были созданы первые в Советском Союзе тонкопленочные диоды, фотодиоды, транзисторы. В результате исследований были разработаны и выпущены небольшой серией тонкопленочные датчики Холла на основе антимонида индия и твердых растворов кадмий-ртуть-теллур. Позднее на основе тонких пленок полупроводников были разработаны усилители поверхностных акустических волн (ПАВ) и конвольверы на ПАВ для радиолокационных установок. Продолжают развиваться исследования в области солнечных батарей на основе поликристаллических и аморфных пленок, газовых сенсоров. Более 30 лет на кафедре работает Международный научно-методический семинар "Флукутуационные и деградационные эффекты в полупроводниковых приборах".